用于超浅结注入的离子源装置 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	用于超浅结注入的离子源装置
专利类别:	发明专利
申请号:	201110004958.4
申请日期:	2011-01-11
专利号:
第一发明人:	刘金彪,张琦辉,宋希明,张浩,李琳,刘强,丁明正,李俊峰,赵超
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:

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