专利名称: 一种测量FET沟道温度的装置及方法
专利类别: 发明
申请号: 201110223026.9
申请日期: 2011-08-04
专利号: 201110223026.9
第一发明人: 王建辉,刘新宇,王鑫华,庞磊,陈晓娟,袁婷婷,罗卫军
其它备注: 四室