| 专利名称: | 一种MOS场效应晶体管 |
| 专利类别: | 发明专利 |
| 申请号: | 201010102696.0 |
| 申请日期: | 2010-01-28 |
| 专利号: | ZL201010102696.0 |
| 第一发明人: | 陈大鹏 |
| 其它发明人: | 陈大鹏;梁擎擎 |
| 实施情况: | 授权 |
| 专利证书号: | ZL201010102696.0 |
| 其它备注: | 中国科学院微电子研究所 |
| 专利名称: | 一种MOS场效应晶体管 |
| 专利类别: | 发明专利 |
| 申请号: | 201010102696.0 |
| 申请日期: | 2010-01-28 |
| 专利号: | ZL201010102696.0 |
| 第一发明人: | 陈大鹏 |
| 其它发明人: | 陈大鹏;梁擎擎 |
| 实施情况: | 授权 |
| 专利证书号: | ZL201010102696.0 |
| 其它备注: | 中国科学院微电子研究所 |
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