专利名称: 半导体结构及其制作方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201110006103.5
申请日期: 2011-01-12
专利号: ZL201110006103.5
第一发明人: 范正萍
其它发明人: 骆志炯;尹海洲;朱慧珑
实施情况: 授权
专利证书号: ZL201110006103.5
其它备注: 中国科学院微电子研究所