专利名称: 一种半导体器件及其形成方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201010557270.4
申请日期: 2010-11-22
专利号: ZL201010557270.4
第一发明人: 骆志炯
其它发明人: 骆志炯;尹海洲;朱慧珑
实施情况: 授权
专利证书号: ZL201010557270.4
其它备注: 中国科学院微电子研究所