专利名称: 接触电极制造方法和半导体器件
专利类别: 发明专利
申请号: 201010531985.2
申请日期: 2010-10-29
专利号: 201010531985.2
第一发明人: 朱慧珑;尹海洲;骆志炯
实施情况: 授权