| 专利名称: | 使用FinFET的非易失性存储器件及其制造方法 |
| 专利类别: | 国际专利 |
| 申请号: | PCT/CN2010/001481 |
| 申请日期: | 2010-09-25 |
| 专利号: | US8981454 |
| 第一发明人: | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 |
| 实施情况: | 授权 |
| 专利名称: | 使用FinFET的非易失性存储器件及其制造方法 |
| 专利类别: | 国际专利 |
| 申请号: | PCT/CN2010/001481 |
| 申请日期: | 2010-09-25 |
| 专利号: | US8981454 |
| 第一发明人: | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 |
| 实施情况: | 授权 |
科研产出