专利名称: 锗衬底上制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201110090483.5
申请日期: 2011-04-12
专利号: 201110090483.5
第一发明人: 胡爱斌;许高博;徐秋霞
实施情况: 授权