专利名称: 一种半导体器件及其形成方法
专利类别: 国际专利
申请号: PCT/CN2011/071020
申请日期: 2011-02-16
专利号: GB2495342
第一发明人: 尹海洲;骆志炯;朱慧珑
实施情况: 授权