专利名称: 一种隔离区、半导体器件及其形成方法
专利类别: 国际专利
申请号: PCT/CN2011/071093
申请日期: 2011-02-18
专利号: GB2486978
第一发明人: 尹海洲;朱慧珑;骆志炯
实施情况: 授权