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专利名称: 使源/漏区更接近沟道区的MOS器件及其制作方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201210089963.4
申请日期: 2012-03-30
专利号: 201210089963.4
第一发明人: 秦长亮;殷华湘
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:
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