| 专利名称: | 一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法 |
| 专利类别: | 发明专利 |
| 申请号: | 201410005195.9 |
| 申请日期: | 2014-01-06 |
| 专利号: | 201410005195.9 |
| 第一发明人: | 赵妙;刘新宇;魏珂;孔欣;郑英奎;李艳奎;欧阳思华 |
| 实施情况: | 授权 |
| 专利证书号: | 201410005195.9 |
| 其它备注: | 高频高压中心 |
| 专利名称: | 一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法 |
| 专利类别: | 发明专利 |
| 申请号: | 201410005195.9 |
| 申请日期: | 2014-01-06 |
| 专利号: | 201410005195.9 |
| 第一发明人: | 赵妙;刘新宇;魏珂;孔欣;郑英奎;李艳奎;欧阳思华 |
| 实施情况: | 授权 |
| 专利证书号: | 201410005195.9 |
| 其它备注: | 高频高压中心 |
科研产出