| 专利名称: | 一种MOSFET结构及其制造方法 |
| 专利类别: | 发明专利 |
| 申请号: | 201310479825.1 |
| 申请日期: | 2013-10-15 |
| 专利号: | CN201310479825.1 |
| 第一发明人: | 尹海洲;刘云飞 |
| 实施情况: | 授权 |
| 专利证书号: | CN201310479825.1 |
| 其它备注: | 十室 |
| 专利名称: | 一种MOSFET结构及其制造方法 |
| 专利类别: | 发明专利 |
| 申请号: | 201310479825.1 |
| 申请日期: | 2013-10-15 |
| 专利号: | CN201310479825.1 |
| 第一发明人: | 尹海洲;刘云飞 |
| 实施情况: | 授权 |
| 专利证书号: | CN201310479825.1 |
| 其它备注: | 十室 |
科研产出