2009年8月31日， 世界知名物理学家、电子束光刻技术科学家、IBM 资深科研理事（IBM Fellow Emeritus）Pfeiffer博士到我所访问并作了题为《电子束光刻技术的进化：历史和展望》的报告。
Pfeiffer博士在柏林理工大学获得博士学位，在电子光学、电子束物理和电子束光刻领域有130篇论文和27项专利。他是IBM技术研究院的委员，获得多项IBM发明和突出贡献奖励。在IBM工作的34年中，他率领世界顶尖的研发团队使得IBM的电子束光刻技术始终处于世界领先水平，建造了第一台工业用成形电子束光刻系统。他的工作奠定了从IBM EL-1到El-5的5代生产型电子束光刻设备。近年来Pfeiffer博士正致力于研发IBM 的下一代电子束投影光刻技术PREVAIL。
在报告中Pfeiffer博士指出，电子束光刻技术一直是追求图形高分辨率、器件小型化和无掩模光刻的有效技术手段，它的图形生成的灵活性和高分辨率更使其成为掩模制造的有力工具。基于他对带电粒子光学的挑战和机会的深刻理解，他在报告中重点深入全面地介绍了近年来电子束光刻技术进展，以及电子束光刻生产率偏低的物理特性和多种克服这一特性的技术及其比较，其中对大量平行束曝光在电子束投影光刻技术和无掩模光刻中的应用还做了重点介绍。此外，他还介绍了先进的电子束曝光技术与普通光刻技术进行混合光刻的优点。同时，他对一些一度被认为很有前景和后来又被研究者放弃的一些技术作了深入剖析，指出由于技术的竞争而使得在科学技术上有意义的研究最终不一定能应用到生产当中的现实。
随后，Vistec电子束光刻技术集团的市场部经理Mrs. Ines Stolberg作了题为《电子束光刻技术的应用现况》的报告。她在报告中介绍了Vistec公司的发展和高斯束和成形束电子束曝光机的不同特性及其对应的应用领域，并对目前市场上可得到的多种类型的电子束曝光系统作了深入的分析比较。
会后，我所及有关单位的研究人员与两位专家进行了讨论和交流。通过这次学术交流活动使我所研究人员对电子束光刻技术的优点、局限性和未来的发展前景有了更全面深入的了解，对该技术领域的近一步研究提供了帮助。
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