2010年2月25日，应微电子所四室金智研究员邀请，德国杜伊斯堡·埃森大学Werner Prost博士到微电子所进行交流并作了主题为“Examples of III/V Micro- and Nanoelectronics: RTD/HBT VCO and advanced nanowire FETs”的学术报告。
Werner Prost博士在报告中针对III/V族纳米线器件的最新研究进展作了详尽介绍，并对一种采用集成HBT-RTD工艺的新型器件实现的振荡器电路作了介绍。期间，微电子所相关领域的研究人员纷纷发言，和Werner Prost博士进行了热烈的讨论与交流。会后，微电子所四室主任刘新宇会见了Werner Prost博士，向他详细介绍了微电子所的科研状况，并就双方感兴趣的学术问题作了进一步交流以及就未来在相关科研领域的合作前景进行了深入探讨。
Werner Prost博士于1989年在杜伊斯堡大学取得电子工程博士学位，于1991年被北莱茵河威斯特伐利亚地区科技教育部长授予“青年科学家”荣誉。他曾协调运作了两项基于量子电子装置 III/V and Si/SiGe“纳米级信息系统”欧洲研究计划。此外，他还参与了多项国际科研合作。目前是杜伊斯堡-埃森大学工程学院的资深科研人员。
Werner Prost博士
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