5月13日，应微电子所纳米加工与新器件集成技术研究室主任刘明研究员的邀请，美国中部佛罗里达州大学的Juin J. Liou（刘俊杰）教授到微电子所进行学术访问，并作了题目为“Electrostatic Discharge (ESD) Protection Solutions for Modern and Future Integrated Circuits”的学术报告。
报告中，刘俊杰教授深入浅出的为大家讲解了集成电路静电保护的原理、模型、设计原则、设计方法以及测试等内容，他指出，静电放电的过程使得很高的电流在很短的时间内通过集成电路芯片，而35%的芯片破坏都是由这一过程造成的。随着CMOS工艺尺寸的不断缩小，静电保护变得越来越重要。刘俊杰教授还着重讲解了Charged Decive Model （CDM）模型，比较了静电保护设计中常用的 SCR、 GGNMOS、 Diode三种方法的优劣以及如何通过测试检验设计方法的适用性等问题。
交流中，刘俊杰教授耐心的回答了与会者提出的“接地在ESD设计中模拟仿真的作用以及如何开展ESD设计”等实际问题，并为到场的ESD设计人员进行了详尽的指点。
刘俊杰教授1987年获得佛罗里达州大学博士学位，现为中部佛罗里达州大学（the University of Central Florida (UCF)）教授。目前的研究主要集中在计算机辅助微纳电子设计、射频器件模型与模拟以及静电保护设计与模拟领域。
刘俊杰教授（右）
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