2010年5月23至28日，中科院微电子所微波器件与集成电路研究室（四室）HBT课题组陈高鹏、吴旦昱两名在读博士研究生应邀赴美国加利福尼亚州参加2010年度RFIC会议（2010 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium）以及IMS会议（2010 IEEE MTT-S International Microwave Symposium），并以口头报告（oral）形式做论文报告。
陈高鹏、吴旦昱两名博士于5月25日在美国加州阿纳海姆会议中心宣讲了报告论文。陈高鹏博士的演讲题目是“A 10GHz 8-bit Direct Digital Synthesizer Implemented in GaAs HBT Technology”，介绍了2009年中科院微电子所微波器件与集成电路研究室流片成功的10GHz DDS芯片。他向与会人员阐述了目前国际上比较通用的DDS体系结构，并详细介绍了自主创新的双边沿触发累加器构成的DDS架构，原理图设计，版图设计，以及DDS的测试方法和测试结果。
吴旦昱博士的演讲题目是“A 6GHz Direct Digital Synthesizer MMIC with Nonlinear DAC and Wave Correction ROM”，介绍了2009年微波器件与集成电路研究室流片成功6GHz DDS芯片的设计及仿真过程，并着重展示了基于版图电磁场仿真的信号完整性分析，以及相应的信号完整性解决方法。最后给出了该DDS芯片的测试结果，并将其与其他国际科研机构的研究成果加以对比，凸显出该芯片的特点和优势。
报告中，与会人员与两位博士进行了深入的科研探讨，来自Intel公司的分会主席和来自DARPA的副主席对其信号完整性的解决方案很感兴趣，详细询问了电路中部分器件的参数，并就“DDS的设计中何种因素限制了SFDR性能”等问题交换意见，他们认为这两款DDS芯片体现了中国科研人员的DDS芯片设计水平，在这一领域，中国已经走在了世界的前列。
IEEE射频集成电路会议（RFIC）是射频集成电路领域顶级会议之一，与RFIC会议同期举行的IEEE国际微波会议（IMS）是国际微波领域最主要的技术大会之一。大会分为全体会议（Plenary session）、专题讨论会（Workshop Session）、热点专题会议（Focused and Panel Session）、口头报告（Oral Session）、交互论坛（Interactive Forum）以及众多参展商参与的展会（IMS Exhibition）。
本次大会重点讨论射频系统、用于移动终端的电路和器件以及封装技术、无线通信系统、宽带接入系统、雷达系统和智能运输系统领域最先进的技术成果。我国大陆学者自1997年以来在 RFIC上共发表13篇文章，其中今年发表4篇（中科院微电子所2篇），4位文章作者受邀参加本次大会做论文报告。陈高鹏、吴旦昱两名博士受邀参会充分说明了经过长期的积累和发展，中科院在射频集成电路研究领域已经获得突破，在该科研领域的国际地位得到巨大提升，国际影响力日益升高，这也必将对国内射频集成电路和超高速数模混合电路的发展起到重要的推动作用。
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