2011年3月16日，由中科院微电子所联合微系统所共同成立的创新团队举行了2011 International Workshop on Exploratory Research for Semiconductor Devices and VLSI Packaging。
微电子所朱慧珑研究员主持了会议并致欢迎词。多名创新团队成员和50余位来自微电子研究所、北京大学、清华大学等高校、研究所的研究人员、学生参加了会议，并就“低功耗、小尺寸、高性能的新型半导体器件，高密度三维封装及石墨烯、碳纳米管等相关新材料、新工艺”方面的国际上共同关心的科学和工程前沿问题进行了热烈地学术讨论。受邀来自IBM、台湾大学、新加坡南洋理工大学、Technical University of Denmark等国内外知名公司、高校、研究机构的专家在会上作了关于“低功耗部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体晶体管及相关工艺，高迁移率沟道，高k/金属栅CMOS器件关键工艺技术，石墨烯-金属器件的接触特性研究，3D/TSV系统集成与封装关键材料技术”等相关领域的学术报告。
此次会议为创新团队成员单位进行学术探讨，获悉前沿研究进展搭建了平台，将对进一步加强国际科研机构间交流及合作、促进我国半导体集成电路的发展起到一定推动作用。
会后，与会专家参观了微电子所集成电路先导工艺研发中心（十室）4英寸及8英寸CMOS/MEMS工艺研发平台，李俊峰副主任详尽介绍了平台的现有工艺能力及近期规划，同时听取了专家的意见与建议。
朱慧珑研究员主持会议
会后合影
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