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合作交流

海外人才走进中科院微电子所

稿件来源: 发布时间:2011-06-29

  首届海外人才走进科学院活动周于2011年6月中旬正式启动,来自美国、德国、英国、法国、澳大利亚和日本等国家的31位获国家优秀自费留学生奖学金的海外人才代表应邀访问中国科学院。6月20日,来自法国国立格勒诺布尔理工学院的郭玮博士和美国哥伦比亚大学的单彧垚博士访问了微电子研究所。

  访问期间,郭玮博士和单彧垚博士与微电子所集成电路先导工艺研发中心(十室)的科研人员进行了学术交流。所人教处赵永凤处长主持交流会并致欢迎词,十室常务副主任赵超研究员介绍了十室的主要研究方向和代表性成果,徐秋霞研究员等科研人员与来访客人进行了学术交流。郭玮博士、单彧垚博士还分别做了题为“磁隧道结电子建模和混合CMOS磁集成电路设计”和“碳纳米管阵列合成及在分子传感器中的应用”的报告,并与与会人员就自旋相关磁隧道效应、碳纳米管合成、分子传感器相关工艺等问题进行了热烈深入的讨论。

  本次活动,让海外人才了解了国内研究机构的科研水平,对相关研究领域学术问题进行了探讨,增进了彼此间的交流,并搭建了未来开展长期合作与双向选择的平台。

交流会现场

  

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