4月11日，中科院EDA中心在京举办Synopsys Sentaurus TCAD技术研讨会，并邀请Synopsys高级市场部经理John Wang担任主讲。中科院在京科研院所的40余名科研人员参加了会议。
Sentaurus TCAD提供了一整套完整的、行业领先的工艺与器件仿真及分析工具组件，适用于研发高端CMOS器件、功率器件、存储器件、光电子器件、模拟/射频（RF）、激光器件、太阳能电池及其制造工艺。该工具与Raphael一起使用可以有效地支持器件和互连线的建模和参数提取，并能给出优化芯片性能所需的关键寄生信息。
研讨会以当今世界半导体工业背景、发展趋势、经济脉搏等总体概览为开端，John Wang经理简要介绍了包括阻抗场法、单次仿真扰动、图形库组合等技术在内的Sentaurus TCAD工具的最新关键技术研究成果及其在相关器件和工艺研发方面的应用，具体介绍了F-2011.09版本产品的支持复杂结构器件的新功能、采用新算法带来的计算性能大幅提升、对波动仿真和分析能力的提升等优势，以及工具在Tri-Gate SRAM器件和工艺研发方面的实际应用情况。会上，双方就Synopsys公司在TCAD上的技术优势、未来发展趋势和产品发展路线图等问题进行了深入的交流和探讨。
本次研讨会是中科院EDA中心联合Synopsys服务客户、推进国家相关重大专项顺利实施高端器件和工艺研发的重要活动，同时也有益于布局未来国家重大专项相关任务特别是14纳米器件和工艺的研发任务。
研讨会现场
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