5月11日，台湾国立中山大学物理系张鼎张教授到中科院微电子所进行学术交流，并做题为“下一代新颖非挥发性电阻式存储元件之制备与物理机制研究”的学术报告。微电子所纳米加工与新器件集成技术研究室（三室）副主任谢常青研究员主持交流会并致欢迎词，30余名科研人员及研究生参加了交流会。所人教处处长赵永凤向张鼎张教授颁发了中国科学院微电子研究所 “荣誉研究员”的聘书。
交流会上，张鼎张教授首先介绍了台湾国立中山大学的基本概况，展示了国立中山大学的附近高雄港、西子湾以及校园、图书馆的照片，让大家有了直观地解了。报告中，他介绍了闪存存储器的物理极限阻止其发展等问题，并对以阻变存储器、相变存储器、磁存储器等为主的下一代新型非挥发性存储器进行了介绍。其中，他重点介绍了阻变存储器，他说阻变存储器具有操作电压低、操作速度快、保持时间长、非破坏性读取、结构简单以及与CMOS工艺兼容等优点，将逐渐成为目前新型非挥发存储器的研究重点。对于阻变存储器的元件制备与物理机制等前沿研究，他提出了新结构、新材料、新技术等研究。其中新结构方面，主要研究金属细丝形成的延伸电机结构、具有氧局限作用的双层结构和金属纳米点嵌入结构；在新材料方面，主要研究了掺杂金属的氧化硅、金属硅化物的氧化物、全透明的阻变存储器和研究电极材料等；在新技术方面，主要研究了超临界流体低温修补技术和超高阻变状态的电阻转变特性技术等。
报告后，与会听众与张鼎张教授还就阻变机理、新材料、新技术、新结构等学术界关注的技术问题进行了热烈的学术讨论。
综合信息