8月30日，中国科学院EDA中心举办邀请中芯国际(SMIC)技术研发部主任、EDA中心客座研究员张立夫博士到微电子所做学术交刘，并做题为Double Patterning Technology at 22nm/20nm Process Node（22/20纳米工艺节点的二次曝光技术）的专题报告。EDA中心主任陈岚主持交流会，来自中科院京区各科研院所的30余名科研人员参加了会议。
在当今集成电路工艺的快速发展和高良率要求下， 20纳米光刻工艺存在诸多挑战。张立夫博士在报告中提出SMIC针对22/20纳米工艺可能应用的二次曝光技术及多种不同方法，并提出基于该技术在曝光过程中产生的UCC（unresolved conflict cycle）等问题及SMIC相应解决方案的设计流程。会上，张立夫博士就相关问题与参会人员展开了热烈讨论。
张立夫博士，IEEE高级会员，毕业于普渡大学，现任中芯国际技术研发部主任，拥有资深的固体电子学背景和近20年行业经验，在中芯国际主管 65到32纳米(high K metal gate)前沿半导体工艺的建模和仿真技术开发。他带领的团队致力于POST-OPC RET、CMP、eDFM、物理设计和设计规则方面的可制造性设计方法学（DFM）研究。
SMIC中芯国际是中科院EDA中心重要的合作伙伴。EDA中心研发的针对SMIC65纳米以下工艺节点的可制造性设计工具DFMT-CMP已进入商业设计流程和服务企业用户新阶段。EDA中心与SMIC中芯国际达成了MPW多目标芯片合作协议，目的旨在共同推动本土IC产业链的建立发展。
报告会现场
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