10月27日—11月1日，微电子所集成电路先导工艺研发中心科研人员参加第224届国际电化学会议(ECS 224th)，并作关于２２纳米技术代工艺研发工作成果的报告，受到业内关注。
国际电化学协会(electrochemical society, ECS)于1902年在美国创立，是具有广泛国际影响的学术组织，目前拥有8000多名注册会员，包括来自70多个国家的科学家和工程师。ECS大会已举行224届，是一个具有重要影响力的学术盛会。先进集成电路工艺以及相关材料，整合技术是ECS大会的一个重要主题。每次会议都吸引集成电路研发领域的知名研究机构和公司参加。
有来自世界各地的约3000多位科学家和工程人员参加了本次大会，IMEC、 IBM、 Global foundry、 Samsung,、Micro,、Applied materials,、LAM、 ASM等研究机构和企业到会做了精彩的报告。微电子所集成电路先导工艺研发中心杨涛、崔虎山、王桂磊、项金娟、孟令款5位科研人员，分别就“22nm工艺开发中钨金属栅填充及化学机械平坦化”、“ALD工艺前驱源对Al2O3/Ge界面的影响”以及“后栅集成工艺中阻挡层TaN评估”等主题作了报告，受到了与会的IMEC、IBM、Global foundry、 Samsung、 ASM等工业界学术代表的广泛关注。
经过三年多工艺平台建设的艰苦工作，集成电路先导工艺研发中心建成了能够开展高端CMOS工艺研发的平台，并在两年多的时间里取得了一系列面向20纳米平面CMOS工艺和14纳米FinFETS工艺研发的成果。此次在ECS大会上展示的成果集中于20纳米技术代中的工艺难点，并回答了“W金属是否对金属栅的Vt有影响？”、“ALD TaN层作为后栅工艺阻挡层的可行性”等工业界广泛关注的问题，其成果对高K-金属栅的工业应用具有直接影响。
通过参加此次ECS会议，集成电路先导工艺研发中心的工作成果得到了三星、台积电、联电等工业界同行的高度评价，得到了业界的广泛关注，与国际同行建立了相关的联系，为今后科研工作水平进一步提升带来了积极影响。集成电路先导工艺研发中心也将为成为业内国际知名研究机构而不断努力。
综合信息