1月16日至17日，中科院微电子所纳米加工与新器件集成技术研究室（三室）成功举办第一届中日韩阻变存储器和功能氧化物研讨会。
参加此次研讨会的有首尔国立大学Cheol Seong Hwang教授，韩国科学技术研究所Doo Seong Jeong博士，日本先进工业科学和技术研究所Isao H. Inoue博士、Hiroyuki Yamada博士，北京大学康晋锋教授，中科院微电子所刘明研究员以及来自清华大学、北京大学等国内知名大学以及研究院所的20多位教授和30多名学生。
此次会议旨在加强中科院微电子所纳米加工与新器件集成技术研究室与国内外其他高校、科研院所关于阻变储存器和功能氧化物等领域专家的交流合作，更好地展示相关研究领域的新成果，促进该研究领域的深入发展。
会上，中科院微电子所副所长刘新宇首先向大会致辞，对参会者的到来表示欢迎。随后Cheol Seong Hwang教授作了题目为Resistance switching in TiO2: microscopic identity, switching mechanism and outlook的报告，主要介绍了基于TiO2功能层的阻变存储器的微观密度、转变机理的问题和未来展望；Isao H. Inoue博士作了题为Mott transistor: concept, obstacles, and future的报告，介绍了Mott晶体管的概念、困难以及未来发展前景；康晋锋教授作了题为Toward 3D RRAM Integration: Optimization of Device Structure and Array Architecture的报告，介绍了RRAM的三维集成等问题；Doo Seong Jeong博士作了题为Towards nanoionics-based artificial neurons and synapses: a materials point of view的报告，介绍了人工神经元的工作和功能氧化物的应用问题；Hiroyuki Yamada博士作了题为Resistive Switching in Ferroelectric Junctions : Investigations with Novel Material and Controlled Interface的报告，主要介绍了铁电结中电阻转变的特性等问题；刘明研究员作了题为Microscopic mechanism of solid-electrolyte-based RRAM: present status and outlook的报告，介绍了基于固体电解质的RRAM的微观转变机制的问题。6位报告人在报告后都与参会人员进行了热烈的讨论和交流。
1月17日，来自清华大学、北京大学、南京大学、武汉大学、中科院微电子所等10所国内知名高等院所的17名学者就阻变存储器的新材料、新结构、机理和集成等方面进行了汇报，并与参会人员进行了热烈讨论。
第一届中日韩阻变存储器和功能氧化物研讨会，科研方向集中、交流目标明确、内容形式活泼，会议效果良好，达到了来自不同国家、不同机构在学术上相互学习、相互了解的目的，为进一步开展合作交流搭建了一个高层次、高水平的平台。
研讨会现场
所有参会人员照片
综合信息