1月19日，苏州大学功能纳米与软物质研究院副教授Mario Lanza博士来微电子所做学术交流，并作了题为“Nanoscale Studies of Resistive Switching in HfO2 RRAM”的学术报告。三室副主任龙世兵研究员主持交流会，微电子所科研人员、研究生共30余人参加了交流会。
Mario Lanza在报告中介绍了研究团队在阻变存储器（RRAM）研究的最新进展，通过使用导电原子力显微镜（CAFM）和半导体参数分析仪（SPA）分析了高k电介质的电学性能，证明了下一代非易失性存储器中功能层HfO2薄膜中电阻开关（RS）的起源。实验结果表明，在HfO2薄膜中，由于其固有的高浓度缺陷，RS仅发生在多晶试样的晶粒间界，这导致了软介电击穿和可逆的导电细丝。由于CAFM的针尖在高电流下稳定性很差，可能导致不可逆的破坏。为克服这一问题，Mario Lanza的研究团队制备了用石墨烯薄层覆盖的超稳定化CAFM针尖，并观察到了诸如电流通过导电丝从动的极性依赖性等新现象。与会人员与Mario Lanza就阻变存储器的电阻转变机理、导电原子力显微镜的使用及应用等进行了热烈的学术讨论。
Mario Lanza现任苏州大学功能纳米与软物质研究院实验室副教授、Wiley杂志晶体研究和技术期刊顾问委员会成员，获得巴塞罗那自治大学电子工程系博士学位，曾任斯坦福大学居里夫人博士后研究员，在《科学》、《先进材料》、《纳米研究》、《应用物理快报》和IEEE等顶尖学术期刊发表论文35篇。
交流会现场
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