3月30日，国家纳米科学中心何军研究员来微电子所进行学术交流，并作了题为《低维金属硫族化合物的可控制备及其电子和光电子器件》的学术报告。微电子所科研人员、学生共30余人参加了交流会。交流会由八室陈波研究员主持。
何军指出金属硫族半导体材料具有许多优异的物理化学性质，如具有适合吸收太阳能的带隙、元素含量相对较高及直接带隙等。因此，在电子、光电子和能源器件方面具有重要应用潜力，成为近年来的研究热点。与其他材料相比，低维金属硫族半导体材料具有更高的比表面积及尺寸效应引起的新奇量子效应，将进一步增强其电子学等性能。但金属硫族化合物自补偿效应强，蒸汽压差别较大，在低维材料合成过程中很容易引入缺陷，严重影响其物理和化学性质，进而制约基于低维金属硫族化合物奇异量子效应的研究及应用。何军介绍了其课题组通过生长动力学控制，运用CVD法成功制备新型低维金属硫族化合物并发展了基于低维金属硫族化合物及其复合结构的高效率光电电子器件方面取得的进展。与会人员就技术问题同何军进行了深入的交流和探讨。
何军研究员毕业于中国科学院半导体研究所，获工学博士学位。现为国家纳米科学中心博士生导师，主要从事低维硫族半导体材料的生长、物理性质及器件，电子、光电子和光子信息器件，多元复合纳米结构的设计及在能源电子学和光电子学的应用等方面的研究。
交流会现场
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