4月15日，微电子所青促会举办2015年第二期“微电子技术创新论坛”，邀请北京航空航天大学教授赵巍胜作了题为《自旋存储器（STT-MRAM）当前的挑战及机遇》的报告。微电子所副总工程师韩郑生研究员、微波器件与集成电路研究室（四室）主任金智研究员、科研人员及研究生共30余人参加了交流会。交流会由所青促会会长毕津顺主持。
赵巍胜在报告中指出，随着半导体技术发展遇到功耗瓶颈，使用自旋电子的自旋属性设计新型器件，被广泛认为是解决功耗瓶颈的关键技术之一。当前，英特尔、高通、三星等国际大型半导体公司都在全力研发自旋电子存储芯片并进行专利积累从而继续垄断数据存储计算芯片。在我国，虽然传统的磁存储器（MRAM）已大量应用于高可靠性领域并产生了巨大的经济价值，但STT-MRAM的研发和产业化步伐一直被推后。赵巍胜详细介绍了当前被广泛关注的基于界面垂直磁各向异性STT-MRAM的研发进展以及面临的机遇与挑战。与会人员就自旋存储器及相关技术问题与赵巍胜进行了交流，大家均表示收获良多。
赵巍胜现任北京航空航天大学自旋电子交叉学科研究中心主任，法国国家科学研究中心终身研究员；出版学术专著2部，发表论文100余篇，授权国际发明专利4项；担任多个SCI期刊编委和国际刊物固定评阅人。
交流会现场
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