近日，2015年度美国电气电子工程师协会（IEEE）国际电子器件大会（IEDM）文章遴选工作结束，微电子所纳米加工与新器件集成技术研究室（三室）研究员刘明课题组的3篇研究论文入选会议文章。
微电子所三室长期从事新型存储器研究工作，在存储器材料、结构、集成以及相关的物理机制方面开展了系统的研究工作，取得了系列创新性研究成果，一大批研究成果发表在Nature Communications、Advanced Materials、ACS Nano、IEEE Electron Devices Letters等相关领域一流期刊上，得到了国际同行的广泛引用和认可。
高密度三维集成是存储器的主要发展趋势，在阻变存储器的三维集成中，漏电问题是核心问题。刘明课题组在国际上首次实现了四层堆叠结构的垂直交叉阵列，设计了结合阻变功能层与低漏电阈值转变层的新型自选通阻变器件，实现了低漏电、高选择比、低功耗等特性，并提出了完全兼容于Cu互连工艺的高性能通用选通器件，利用Cu掺杂HfO2材料的阈值转变特性，成功构建了具有pA级漏电的通用选通器件。相关研究论文“Demonstration of 3D Vertical RRAM with Ultra Low-leakage, High-selectivity and Self-compliance Memory Cells”、“Cu BEOL Compatible Selector with High Selectivity（>107）, Extremely Low Off-current（~pA）and High Endurance（>1010）”入选IEDM会议文章。
新型半导体器件集约模型的建立是实验室环境器件研发和工业化IC设计的基础。刘明课题组在国际上首次提出了基于两种传输理论的石墨烯晶体管的物理集约模型。该模型得到了微电子所四室金智课题组的实验数据的验证，经过一系列严格的测试方法，证明其可以应用到商业CAD工具中，并对其射频应用进行了系统的仿真。相关研究论文“A New Surface Potential Based Physical Compact Model for GFET in RF Applications”入选IEDM会议文章。
IEDM是微电子领域顶级会议之一，在国际半导体技术界具有广泛的影响力，被誉为“微电子器件领域的奥林匹克盛会”，每年全球仅100余篇文章入选会议文章。
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