7月13日，香港科技大学Mansun Chan教授来微电子所访问交流，并作了题为“Carbon Nanotube Enhanced CMOS Interconnect Technology”的学术报告。交流会由刘明院士主持，微电子所科研人员、研究生共40余人参加了交流会。
Mansun Chan在报告中指出，由于电流密度增加和负载减少，碳纳米管（CNT）越来越多地应用在先进CMOS互连中。他介绍了如何使用碳纳米管实现小通孔填充和多孔层间介质。针对CMOS的兼容问题限制了催化剂材料和加工条件这一情况，Mansun Chan的课题组通过催化剂工程证明，在低温下镍可以在金属或硅化物基上形成碳纳米管填充通孔，且接触电阻很小。使用碳纳米管作为垂直对齐的孔模板，可以实现具有强机械强度的介电常数k为1.89的低k介质层。与会人员就碳纳米管、MOSFET模型等同Mansun Chan进行了热烈的学术讨论。
Mansun Chan现任香港科技大学电子工程学院教授，研究方向包括纳米器件技术、传感器、SOI技术，高性能芯片，三维电路技术、器件模型和纳米生物微机电技术，参与建立的SPICE统一BSIM模型已被大多数美国企业和紧凑模型委员会接受并作为MOSFET模型的第一个工业标准。
学术报告现场
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