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合作交流

英国利物浦约翰摩尔大学Zhigang Ji博士来微电子所访问交流

稿件来源: 发布时间:2016-09-12

  97日,英国利物浦约翰摩尔大学Zhigang Ji博士来微电子所进行学术交流,并作了题为“Advanced CMOS device characterization and modelling for reliability-aware device/circuit co-design”的学术报告。微电子所青促会小组成员、微电子重点实验室副研究员毕津顺主持交流会。全所科研人员、研究生共40余人参加了交流会。 

  Zhigang Ji在报告中指出,随着半导体制造结点越来越小,电路可靠性问题日受到关注,电路/系统的可靠性问题和更高错误率对制造性设计的要求逐步提高,迫切需要优化设计性能、可靠性、功耗和成本,而传统的电路模型和表征技术已很难满足要求。Zhigang Ji介绍了先进互补金属氧化物半导体(CMOS)器件在电路/系统中的可靠性设计和模型,以及一种改进型缺陷中心框架及其与商业电路模拟器的集成。该框架已被实验证明适合22纳米以下结点技术。他详细讲解了利用该框架改进和提高IMEC的先进Ge/III-V器件的技术开发过程,并同与会人员就电路可靠性等领域进行了热烈的学术讨论。 

  Zhigang Ji博士现任英国利物浦约翰摩尔大学高级讲师,研究重点是先进逻辑和存储器件的退化现象和可靠性建模以及电路/系统的交互问题,先后发表期刊和会议论文60余篇,部分研究成果已被应用到吉时利仪器产品。 

交流会现场 

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