9月27日，法国原子能委员会电子与信息技术实验室（CEA-LETI）硅技术器件研究中心原首席科学家Simon Deleonibus博士来微电子所进行学术交流，并作了题为“The Energy and Variability Efficient Era (E.V.E.) is ahead of us”的学术报告。微电子所刘明院士主持交流会，40余名职工、研究生参加了交流会。
Simon Deleonibus在报告中指出零内在变异性和零功耗是信息通讯技术的未来发展趋势。目前硅器件和薄膜器件在尺寸不断缩小，但内在变异性和功耗等方面出现了瓶颈。他从新材料和新结构等方面介绍了实现零内在变异性和零功耗的途径，例如采用接近分子和原子尺寸的新活性材料集成器件来实现零内在变异性，采用3D结构集成可以在系统和功能层面实现零功耗等。这种新想法引起了与会人员的强烈共鸣，大家就如何减少器件功耗等问题与Simon Deleonibus进行了热烈的学术讨论。
Simon Deleonibus博士曾任法国原子能委员会电子与信息技术实验室硅技术器件研究中心首席科学家，2016年1月退休，现任IEEE EDS秘书及第8区主席，发明的接触插头原理成为半导体产业在互连过程中广泛使用的标准。
报告会现场
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