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合作交流

“中国科学院微电子研究所2016年青年论坛”成功举办

稿件来源: 发布时间:2016-10-25
  10月21日,“中国科学院微电子研究所2016年青年论坛”成功举办,来自国内外知名企业、高校和科研机构等20多家单位的200余名国内微电子领域的科研一线青年才俊参加了论坛、进行了交流。论坛由微电子所青促会、所团委和信息中心联合举办。

  “青年论坛”旨在为国内微电子领域青年科研科技工作者搭建一个加强学术交流、促进学科交叉的自由开放、兼容并包的学术平台。论坛由所青促会主办,所团委、科技处、人事处、信息中心联合承办。论坛分为主会场报告会和分会场报告会两个环节。主会场由微电子所所长助理、科技处处长王文武主持。

  在主会场报告会上,微电子所所长叶甜春对与会嘉宾表示热烈欢迎,对本次论坛的主旨和组织工作给予了充分认可,对与会青年科研工作者的工作给予高度评价,勉励大家勇担重任,在微电子领域砥砺前行、积极作为。

  微电子所刘明院士作了题为《享受科研工作中的快乐和挑战》的报告,从成长历程、职业规划、家庭和谐、做人做事原则等方面分享了工作和生活经验。微电子所副总工程师韩郑生研究员作了题为《半导体器件的总剂量效应》的报告,讲解了半导体器件抗辐照研究的重要性,分析了其应用需求。存储器中心主任霍宗亮研究员作了题为《3D NAND闪存存储器工艺与器件技术前沿进展》的报告,详细介绍了3D NAND闪存存储器的研究历史和发展现状。三位专家的报告让与会人员对工作与生活的关系、微电子领域前沿技术的有了更深入的理解。

  分会场报告会围绕存储技术、逻辑技术、高频高压技术、5G与物联网技术等四个主题展开,邀请相关领域优秀青年人才作专题报告。在存储技术分会场,嘉宾就下一代新型存储技术的研究现状、面临的挑战以及未来发展方向进行了报告。在逻辑技术分会场,嘉宾分享了各自的最新研究进展,展望了未来发展趋势,并围绕FinFET技术、高迁移率锗沟道材料、自旋器件、可靠性等方向展开探讨。在高频高压技术分会场,嘉宾从材料外延、器件工艺、电路设计和模块应用等方面探讨了SiC、GaN以及InP基器件相关技术问题和应用挑战。在5G与物联网技术分会场,来自产学研领域的多位青年专家讲解了面向未来的5G与物联网新通信时代的产业应用、核心芯片技术及挑战与未来发展趋势。前瞻性的发言引发了现场听众的强烈共鸣,大家纷纷就感兴趣的话题同嘉宾展开交流,现场始终沉浸在浓厚的学术氛围之中。

  本次论坛主题明确、内容丰富、观点前沿,与会人员进行了充分交流,不断碰撞出思想火花。大家均表示受益良多,希望将青年论坛常态化,为促进青年科研工作者合作交流搭建高水平平台。

  

  

  叶甜春(左上)致辞,刘明(右上)、韩郑生(左下)、霍宗亮(右下)作报告

  

  论坛主会场

  

  论坛分会场

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