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中国科学院集成电路创新研究院（筹）2018年“集成电路先导技术—器件工艺”研讨会第一次会议成功举办

稿件来源：发布时间：2018-10-09

　　2018年9月28日，由中国科学院集成电路创新研究院（筹）工艺总体部策划并组织的“集成电路先导技术——器件工艺” 研讨会第一次会议在中科院微电子所成功举办。本次会议以探索下一代集成电路先导技术为目标，邀请到国内不同领域内的多位知名学者与工程技术专家参加，针对“延续摩尔定律的纳米CMOS新器件与新技术”和“后摩尔时代新材料与新原理器件研究”两个主题开展了学术报告与圆桌讨论。中科院微电子研究所所长、创新研究院筹建组长叶甜春出席会议并致辞，科技处处长李平出席。所长助理、先导中心主任王文武、副主任殷华湘、李俊峰、谢玲、杨涛以及所内多位科研股干参会，研讨会分别由殷华湘研究员和吴振华研究员主持两个会场。

　　清华大学钱鹤教授、北京大学黎明研究员、复旦大学孙清清教授、西安电子科技大学韩根全教授、浙江大学赵毅教授、中科院微系统所朱敏副研究员和中科院物理所杜世萱研究员、中科院半导体所赵建华研究员、北京大学张志勇教授、复旦大学包文中教授、中国科技大学汪喜林研究员分别参与了两个主题研讨并作了精彩的学术报告。中芯国际联合实验室的卜伟海总监、王文博经理特邀出席了本次研讨会。

　　在“延续摩尔定律的纳米CMOS新器件与新技术”主题研讨会上，殷华湘研究员首先阐述了本次会议背景，并简要介绍了中科院微电子研究所的历史、架构、人才培养、科研方向和研究成果；中国科学院集成电路创新研究院（筹）筹建思路、未来规划和任务使命；着重阐述了器件工艺技术研发方向、未来研究趋势及本次研讨会所要进行学术交流和讨论的主题。钱鹤教授作了“RRAM在存算融合的应用”报告，他阐述了开发存算融合AI芯片的重要性，从器件的角度，分析了实现存算的难点，分享了目前的研究进展和对未来研发方向的展望。黎明研究员分享了硅基围栅纳米线集成及应用的相关内容，分析了围栅纳米线包括结构形成、纳米线形貌控制、多阈值调控等集成关键工艺，并指出了集成应用中面临的包括随机涨落、GIDL静态功耗以及热电偶合等挑战。孙清清教授作了“半浮栅晶体管及其芯片集成技术”报告，介绍了在半浮栅晶体管实用化方面做的工作，并指出其在存储、处理器以及传感器多方面应用的可能性。韩根全教授作了“High Mobility MOSFET and Beyond CMOS”报告，分析了采用新材料、新结构实现低功耗集成电路的方向，具体分析了包括提高沟道迁移率的沟道工程方面、锗材料的p型晶体管的研究工作，并对具有超陡亚阈值的负电容晶体管进行了具体介绍。赵毅教授作了“面向7nm及其以后技术代应用的SiGe/Ge器件技术”报告，分析了应用于SiGe/Ge器件的包括臭氧后氧化、二维材料钝化表面以及Ge基存算结合的先进工艺，介绍了基于Ge-MOSFET有效质量、缺陷表征方面的测试表征工作。朱敏副研究员分享了高速低功耗相变存储材料与机理研究的工作。他指出相变存储器具有非易失性、高密度、多级存储以及CMOS工艺兼容性好的优势，分析了相变存储器的研究现状，并介绍了基于Ti-Sb-Te材料的相变存储器的工作和展现出的优异性能。

　　在“后摩尔时代新材料与新原理器件研究”主题研讨会上，吴振华研究员介绍会议背景与会议主题。杜世萱研究员作了“基于石墨烯/硅烯二维异质结构的整流器件的设计与构筑”的报告，从理论和实验的角度分析和介绍了一种利用硅原子插层的方式成功构筑的具有晶圆尺寸、高质量、大气下稳定特征并具有整流效应的石墨烯/硅烯二维异质结构。赵建华研究员作了“关于低维窄禁带半导体纳米结构”的报告，介绍了利用分子束外延技术，采用“自下而上”的方法，在制备高质量窄禁带半导体纳米结构方面取得的一系列进展，为新型纳米器件方面的研究提供了新的方向。张志勇教授分析了关于碳纳米管晶体管的现状与挑战，介绍了半导体碳纳米管的特性和在半导体器件上的巨大应用价值，探讨了碳管CMOS晶体管的规模集成方法，并分享了在构建基于碳纳米管的复杂集成电路方面的工作。包文中教授作了“关于二维半导体材料的微电子器件研究”的报告,分析了目前二维半导体材料在材料生长、器件制备等方面面临的问题和挑战，介绍了一系列在实现材料制备、器件工艺和集成优化的有机结合方面的工作，为探索二维半导体材料在信息器件领域的实际应用提供了思路。汪喜林研究员作了“光量子信息处理新进展”的报告。他从光子的基本量子特性出发，具体分析了光量子技术在量子通信和量子计算领域的应用，介绍了光量子信息技术的最新进展及发展前景。

　　报告结束后，专家们还进行了技术研讨与交流，就一些面向未来集成电路创新发展的关键技术问题进行了深入而具体地讨论，并对未来可能的合作方向作出了展望，为今后的产学研合作发展新一代集成电路先导技术提供了有价值的思路和方向。