6月16日，“集成电路制造工艺与器件”研讨会在中国科学院微电子研究所召开。 本次会议邀请到了来自北京大学、清华大学、复旦大学、北京航空航天大学、西安电子科技大学等高校，中科院半导体所、中科院微电子所、广东省大湾区集成电路与系统应用研究院等院所，北方集成电路技术创新中心、长鑫存储、澳芯集成电路、通富微电等产学研单位的近20名专家学者出席会议并作专题报告。会议由中科院微电子所副所长王文武研究员主持。
北京市电子科技情报研究所张莹副所长代表主办方，向参会的专家学者表示感谢和欢迎，并介绍了本次研讨会的背景和目的。中国科学院微电子研究所王文武研究员在致辞中指出，面对我国集成电路产业发展和核心技术攻关的迫切需求，应进一步加强产学研的深度合作，通过技术创新和协同创新，共同打好攻坚战。
本次会议重点围绕集成电路制造工艺与器件领域的发展路径和前沿技术进行交流和研讨，报告主题涵盖了纳米环栅器件（GAA）、FD-SOI器件、自旋电子器件等新结构新原理器件，锗硅、锗锡、氧化物半导体、铪基铁电等新材料及器件，2.5D/3D封装、异质异构集成、先进封装基板等封测技术，以及计算光刻和紧凑模型等关键技术。此外，研讨会还围绕国家重大战略需求，在产学研深度合作、实验设施共享、专业人才培养等方面开展了深入讨论。
本次会议由中国科学院微电子研究所、北京市电子科技情报研究所主办，《微纳电子与智能制造》杂志社、北京电子学会承办。会议报告将以专刊的形式在《微纳电子与智能制造》杂志发表。
会议现场
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