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微电子所博士生刘杰荣获等离子体注入与沉积国际会议优秀学生论文奖

稿件来源: 发布时间:2011-09-20

  2011年9月8日至12日,第十一届等离子体注入和沉积国际会议(PBII&D)在哈尔滨召开,我所微电子设备技术研究室(八室)博士生刘杰在大会上作了题为《A Novel Method to Texture Silicon for Solar Cells》的报告,其论文《High efficiency black silicon solar cell with self-cleaning dual-scale textured surface》荣获本届会议优秀学生论文奖(优秀率2%)。

  PBII&D是等离子体研究领域内的顶级国际会议。PBII&D 2011由哈尔滨工业大学主办,国内外参会代表400余人。与会代表分别围绕等离子体注入和材料表面处理、高功率脉冲磁控溅射及等离子体源、多功能薄膜、等离子体诊断理论和模拟等议题展开了讨论。

  八室博士生刘杰在导师夏洋研究员的指导下,从2009年开始从事黑硅材料和太阳能电池方向的研究工作。刘杰在本届大会上对本课题组最近的工作进展做了报告,原创性地提出利用等离子体浸没离子注入(PIII)的方法制备黑硅材料。该方法制备的黑硅材料不但表面形貌能实现可控制备,而且反射率极低,利用该黑硅材料制造的太阳电池光电转换效率比传统工艺提高0.3%~0.5%。此方法有望替代传统湿法制绒技术应用于太阳能电池的大规模生产。由于研究工作的原创性、新颖性,报告受到了与会国内外代表的极大关注和好评,论文被评委本届会议的“The Excellent Student Paper”。

证书(1).jpg

优秀学生论文奖证书

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