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微电子所“等离子体增强原子层沉积系统”在第二十届全国发明展上荣获金奖

稿件来源: 发布时间:2011-09-21

  在刚刚闭幕的第二十届全国发明展览会上,微电子所微电子设备技术研究室(八室)参展的“等离子体增强原子层沉积系统(ALD)”凭借多项原创发明喜获展览会金奖,成为本届展会中科院系统唯一获此殊荣的项目。

  本届发明展览会经科技部批准,由中国发明协会、山东省人民政府、威海市人民政府主办,以“技术创新、改善民生、协调发展”为主题,共设有400个展位,展出了近1600项优秀专利发明和科技成果。

  经北京市发明协会和首都科技条件平台推荐,由微电子所八室主任夏洋研究员领衔的研究团队共有两项成果参展,其中“等离子体增强原子层沉积系统”凭借多项重要发明专利得到了评委会多位专家青睐,荣获展览会金奖。另一项目“高亮度LED图形化衬底刻蚀系统”也收获铜奖。

收获金奖的“等离子体增强原子层沉积系统”

获奖证书

奖牌

附件: