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通知公告

中国科学院微电子研究所集成式超钝感半导体换能芯片工艺开发项目公示

稿件来源: 发布时间:2021-08-23

   一、项目名称

  中国科学院微电子研究所集成式超钝感半导体换能芯片工艺开发项目。 

  二、单一来源外包理由说明 

  中国科学院微电子研究所承担了横向项目“集成式超钝感半导体换能芯片项目”,本项目致力于实现可集成至微系统微型引信设计与开发,通过核心技术攻关,完成用于点燃各种含能材料的桥式电起爆装置的关键器件---半导体换能芯片的开发。本项目需完成电阻1.0Ω±01Ω,外形尺寸1.9mm×1.5mm×0.5mm,可耐受-100-200℃的温度,半导体桥电极塞安全电流1.5A2.25W5min,发火电流达6A的芯片开发。本项目合同中指定北方电子研究院安徽有限公司为工艺开发方,因此需要通过外包方式完成。 

  北方电子研究院安徽有限公司建有国内先进的6英寸0.5μm半导体集成电路生产线、6英寸体硅MEMS器件生产线等七大工艺平台,其中6英寸体硅MEMS器件生产线可满足该芯片耐高温工艺开发与验证,所以集成式超钝感半导体换能芯片工艺开发项目只能采用单一来源方式。 

  三、该项目拟外包给北方电子研究院安徽有限公司。 

  四、征求意见期限从2021823日至2021827日止。 

  本项目公示期为2021823日至2021827日。有关单位和个人如对公示内容有异议,请在202182717:00(北京时间)之前以实名书面(包括联系人、地址、联系电话)形式反馈至中国科学院微电子研究所质量处,地址:北京朝阳区北土城西路3号,邮编:100029,联系电话:82995527 

    

                                                                                                                          中国科学院微电子研究所 

                                                                                                                                       2021820

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