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微电子所知识产权工作入选知识产权强国建设第三批典型案例

稿件来源:科技合作处 吕霞 郭建春 发布时间:2024-11-06

10月14日,国家知识产权强国建设工作部际联席会议办公室发布了知识产权强国建设第三批30个典型案例。微电子所推荐案例“以高质量专利创造实现高水平成果转化”入选其中,并位列第一。

微电子所秉持“专利导向的研发”战略,将关键核心技术攻关与高质量专利创造相结合,聚焦战略性、前瞻性技术研发,实施层次化专利创造和系统性专利布局。经过十余年攻关,微电子所在技术研发取得突破性进展的同时也实现了专利创造量质并举,有效加强了专利的保护和转化运用。一是对外许可实现开创性突破,与国际著名半导体领军企业签署协议,将集成电路先进制造核心专利批量授权其使用,并约定在半导体器件工艺等领域开展合作,极大提振我国科技工作者实现高水平科技自立自强的信心和决心。二是产研融通支撑企业规模升级,通过与产业链上下游龙头企业开展协同技术攻关,全力支撑企业开发规模制造和量产成套工艺。三是多措并举促进专利转化运用,通过专利许可转让、共建集成电路产业专利池等多种方式促进专利转化运用,助力产业高质量发展。

下一步,微电子所将以重大任务为牵引,推动关键核心技术研发、高质量知识产权创造、高水平转化运用融合发展,打通创新成果产业化渠道,建立知识产权支撑产业发展协同机制,实现政产学研融通创新,为我国集成电路行业可持续发展保驾护航。

    发布地址:https://www.cnipa.gov.cn/art/2024/10/18/art_75_195483.html

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