| 论文题目 | 作者 | 刊物名称 | 发表年度 |
|---|---|---|---|
| 龙世兵; | 2013 14th International Conference on Ultimate Integration on Silicon | 2013-03-19 | |
| 倾斜离子注入对FinFET器件亚阈值特性影响的研究 | 尹海洲; | 第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 | 2013-07-11 |
| 100 GHz InP基转移电子器件的研制 | 贾锐; | Advanced Materials Research | 2013-05-12 |
| 低功耗体硅FinFETs器件沟道及源漏扩展区掺杂形貌优化 | 尹海洲; | 第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 | 2013-11-15 |
| 罗军; | Vacuum | 2013-08-01 | |
| 罗军; | Vacuum | 2013-09-01 | |
| 欧毅; | Electron Device Letters, IEEE | 2013-02-21 | |
| 欧毅; | IEEE Journal of Microelectromechanical Systems. | 2013-03-29 | |
| 100mm直径硅衬底上MOCVD外延生长无裂纹GaN | 罗军; | 半导体技术 | 2013-04-03 |
| Schottky barrier height modulation in metal/n-Ge system | 刘洪刚; | 第八届中国功能材料及其应用学术会议 | 2013-08-25 |
| Interfaces in Ge MOSFET | 王盛凯; | 第八届中国功能材料及其应用学术会议 | 2013-08-24 |
| 许高博; | 2013 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC'13)论文集 | 2013-06-12 | |
| 杂质分凝技术对肖特基势垒高度的调制 | 罗军; | 半导体技术 | 2013-01-08 |
| Microwave Performance of In0.25Ga0.75As MOSFET with an InGaP interfacial layer | 刘洪刚; | Extended Abstracts of the 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials | 2013-12-27 |
| 刘明; | Chinese Physics B | 2013-01-01 |
科研产出