| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种等离子体浸没注入装置 | 汪明刚,夏洋,李超波,刘杰,李勇滔,陈瑶,赵丽莉; | 201010269027.2 | 2010-09-01 |
| 一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法 | 刘健,饶志鹏,夏洋,石莎莉; | 201010560899.4 | 2010-11-26 |
| 以氮化铝为势垒层的Mo基金属栅叠层结构的刻蚀方法 | 李永亮,徐秋霞; | PCT/CN2010/001459 | 2010-09-21 |
| 一种原位制备太阳能电池的方法 | 夏洋,刘邦武,李超波,刘杰,汪明刚,李勇滔; | 201010274489.3 | 2010-09-07 |
| 一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法 | 夏洋,饶志鹏,刘键; | 201010546602.9 | 2010-11-16 |
| 一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法 | 刘键,饶志鹏,夏洋,石莎莉; | 201010560898.X | 2010-11-26 |
| 一种场环限结构 | 田晓丽,朱阳军,吴振兴,张彦飞,卢烁今; | 201120209191.4 | 2011-06-20 |
| 一种功率半导体器件结电容测试装置 | 陆江,朱阳军,苏江; | 201120221050.4 | 2011-06-27 |
| 绝缘栅双极晶体管 | 赵佳,朱阳军,孙宝刚,卢烁今,左小珍; | 201120214540.1 | 2011-06-23 |
| IGBT版图 | 赵佳,卢烁今,朱阳军,左小珍; | 201120220830.7 | 2011-06-27 |
| 射频电源（RFG-500） | 李勇滔,赵章琰,秦威,李英杰,夏洋; | 201130183823.X | 2011-06-21 |
| 一种基于MOS电容的等离子体损伤测试结构 | 王守国; | 201120252422.X | 2011-07-18 |
| 静电放电保护用可控硅结构 | 曾传滨,毕津顺,李多力,罗家俊,韩郑生; | 201120417128.X | 2011-10-27 |
| 一种ESD防护电阻 | 曾传滨,李多力,海潮和,李晶,罗家俊,韩郑生; | 201120565124.6 | 2011-12-29 |
| 刻蚀系统机柜 | 席峰,胡冬冬,屈芙蓉,刘训春,李勇滔,李楠,张庆钊,夏洋; | 201130402162.5 | 2011-11-04 |
科研产出