| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种气体分配器及原子层沉积设备 | 张艳清;夏洋;李超波;万军;吕树玲;陈波;石莎莉;李楠; | 201210001944.1 | 2012-01-05 |
| 一种大气等离子喷涂技术制备非晶Y3Al5O12涂层的方法 | 王文东;黄春;闫坤坤;夏洋; | 201210001926.3 | 2012-01-05 |
| 用STI的拐角应力增强MOSFET性能 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲; | 201110417139.2 | 2011-12-14 |
| 一种混合线条的制造方法 | 唐波;闫江; | 201110460558.4 | 2011-12-31 |
| 半导体器件及其制造方法 | 王桂磊; | 201110394014.2 | 2011-12-01 |
| 一种半导体结构及其形成方法 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲; | PCT/CN2011/071249 | 2011-02-24 |
| 半导体结构和形成该半导体结构的方法 | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑; | PCT/CN2011/001997 | 2011-11-30 |
| 半导体器件及其形成方法、封装结构 | 钟汇才;梁擎擎;闫江;赵超; | PCT/CN2011/078325 | 2011-08-12 |
| 用于保持热预算稳定的加热方法 | 李春龙; | PCT/CN2011/001313 | 2011-08-09 |
| 半导体器件及其制造方法 | 梁擎擎;朱慧珑;钟汇才; | PCT/CN2011/001308 | 2011-08-09 |
| 半导体器件及其制造方法 | 罗军;赵超; | PCT/CN2011/000712 | 2011-04-22 |
| 浅沟槽隔离结构、其制作方法及基于该结构的器件 | 闫江; | PCT/CN2011/001281 | 2011-08-03 |
| 一种栅堆叠结构、半导体器件及二者的制造方法 | 骆志炯;朱慧珑; | PCT/CN2011/000581 | 2011-04-06 |
| 半导体器件结构的制造方法及其结构 | 钟汇才;梁擎擎; | PCT/CN2011/000306 | 2011-02-25 |
| 晶体管及其制造方法 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯; | PCT/CN2011/000262 | 2011-02-21 |
科研产出