6月4日，四室举办了“陈高鹏、吴旦昱同学参加美国RFIC会议”经验交流会，向四室全体人员分享受邀参加“美国RFIC会议”过程中的经历和收获。交流会由四室主任刘新宇研究员主持。
陈高鹏同学通过此次会议了解到了国外最先进的技术，最前沿的研究热点和趋势。在硅基毫米波、GaN功率器件、THz、石墨烯等研究领域，国外已经发展的如火如荼，目前国内在这些研究领域已经全面落后于国际先进水平。究其原因，虽然是科研条件所限，但更重要的原因是我们的科研视野和科研方法已经落后于国外各大科研机构。在看到自身的差距时，陈高鹏同学认为，坚持科学院的特色，在化合物半导体领域我们仍然大有可为。石墨烯作为国际的科研热点，将是赶超国际先进水平的契机。在学术活动中，不宜妄自菲薄，要多发国外文章，多参加国际交流，开拓思路，形成影响力。
吴旦昱同学简要介绍了RFIC会议的背景，作为射频集成电路领域每年一次的顶级会议，我国大陆自97年以来在会议上共发表13篇文章，2010年发表4篇，其中微电子所2篇。吴旦昱感触颇深的是，国外学术界非常开放，有了新的成果马上就可以发表，减少了重复性工作，加快了科研进度。相比较而言，国内由于眼界不够广，重复建设过多，开放程度较差而导致逐渐落后于国外。吴旦昱特别举例了一些2010年下半年和2011年的重要国际会议，鼓励在场的科研人员积极申请参加。
刘新宇研究员在认真听取两位同学的报告后表示，四室自从建室以来就特别注重国际科研交流，积极开拓国际视野。多年来，在向国际化发展的努力下，四室整体科研水平得到飞速提高。刘新宇研究员认为，陈高鹏和吴旦昱同学能够受邀参加本次RFIC会议，表明四室的整体科研水平已经获得了一定程度的国际认可。四室通过这次会议的全过程积累了国际大会的经验，展示了多年来的科研成果，具有重要得意义。刘新宇研究员号召大家向陈高鹏和吴旦昱两位同学学习，争取更多参加国际大会的机会，努力增强科学素养，开拓科研视野。
综合信息