9月29日，由中科院微电子所先导中心筹办的“集成电路先导技术系列研讨会—先进光刻”研讨会第一次会议成功举办。此次会议包括“新型光刻及EUV光刻技术”和“计算光刻及EUV光刻仿真技术”两个主题，微电子所所长助理、先导中心主任、系列研讨会总负责人王文武研究员进行会议致辞，科技处李平处长出席。会议由韦亚一研究员主持并介绍会议背景，简要介绍了中科院微电子研究所的历史、架构、人才培养、科研方向和研究成果，以及中国科学院集成电路创新研究院（筹）的筹建思路、未来规划和任务使命，着重阐述了在先进光刻技术研发方向的未来研究趋势和研讨会主题。
中国科学院大学副校长杨国强研究员、清华大学许军教授、中科院上光所王向朝研究员、北京理工大学李艳秋教授、北京航空航天大学钱建强教授、中科院光电院周翊研究员、中科院理化所李嫕研究员、中科院长光所王丽萍研究员、上海微电子装备（集团）股份有限公司段立峰总监、上海集成电路研发中心伍强副主任、徐州博康信息化学品有限公司毛国平副总经理、复旦大学熊诗圣教授、北京燕东微电子有限公司刘晓靖副总经理、北京理工大学马旭教授、东方晶源微电子科技有限公司施伟杰副总经理、广东工业大学沈逸江副教授、北京华大九天软件有限公司刘晓明经理等专家学者参加了本次研讨会。
杨国强研究员做了《超过精细光刻胶的研发》报告，对我国在EUV光刻胶的研发成果进行了概述并对未来研发进行了展望。段立峰总监做了《研制EUV光刻胶的机会和挑战》报告，回顾了国际上EUV光刻机发展的历史、研制的关键技术和难点，在技术和组织上对未来研发提出了策略和建议。毛国平副总经理做了《实现中高端光刻胶的国产化——博康集团的努力》报告，从企业研发视角、结合国际上知名企业和高校的联合研发特点，对我国光刻胶的研发提出了参考和借鉴的模式。复旦大学熊诗圣教授做了《十纳米以下嵌段共聚物导向自组装光刻技术》报告，探讨了如何利用化学预图案引导嵌段高分子共聚物的自组装，与300毫米先导线的兼容问题及其应用。马旭教授做了《基于压缩感知的快速计算光刻技术》报告，将自适应压缩感知方法应用于计算光刻领域，提出了一种基于线性压缩感知的快速光刻系统光源优化方法，以及基于非线性压缩感知框架的快速光学邻近效应修正方法。施伟杰副总经理做了《摩尔定律的助力剂：计算光刻的历史、趋势与挑战》报告，在介绍的计算光刻历史与发展趋势基础上，探讨了“深度光刻”的概念和深度掩模优化的研发实践。沈逸江副教授做了《基于窄带水平集和半隐式加性算子分裂的光学临近校正》报告，引入了窄带水平集算法和半隐式加性算子分裂等方法，对反向光刻算法的准确性、计算效率和收敛性进行了研究探讨。
会议在创新研究院未来发展，特别是EUV光刻和光刻工艺仿真方向进行了深度技术探讨和交流，与会专家积极发言，建言献策，在未来研发、院校合作、企业产学研合作、基础研究与应用研究、前瞻性与基础性、研究与平台等方面畅所欲言，对中科院集成电路创新研究院的发展提供了非常有价值的建议。
参会嘉宾合影
王文武致辞
韦亚一欢迎致辞及会议主持
邀请嘉宾报告（杨国强研究员、段立峰总监、毛国平副总、熊诗圣教授、马旭教授、施伟杰副总、沈逸江副教授）
会议讨论
综合信息