中国科学院微电子研究所拟参与长江存储科技有限责任公司申请“晶栈架构超高密度三维闪存芯片关键技术及产业化”项目申报国家科学技术奖励-科学技术进步（特等奖或一等奖）。特进行公示，公示材料附后。公示期：2025年06月12日-2025年06月16日。公示期内如对公示内容有异议，请您向科技处、纪监审办公室反映。
以单位名义提出的异议，应在异议材料上加盖单位公章，签署法定代表人姓名，并写明联系人地址、电话和电子信箱。以个人名义提出的异议，应在异议材料上签署真实姓名，并写明本人工作单位、联系地址、电话和电子信箱。
联系人及联系电话：唐璇/耿旖，电话：82995852/ 82995885，邮箱：tangxuan@ime.ac.cn/gengyi@ime.ac.cn。
科技处
2025年6月10日
科技进步奖
项目名称: 晶栈架构超高密度三维闪存芯片关键技术及产业化
拟提名者: 中国电子学会
完成人: 霍宗亮（1）、刘明（2）、陈南翔（3）、杨士宁（4）、刘胜（5）、陈俊（6）、蔡一茂（7）、尹志尧（8）、赵晋荣（9）、程卫华（10）、潘立阳（11）、夏志良（12）、张兴（13）、周文斌（14）、侯春源（15）、王兴晟（16）、靳磊（17）、陈鲁（18）、吕光泉（19）、付祥（20）、华子群（21）、王晓峰（22）、刘威（23）、高晶（24）、王坚（25）、魏华征（26）、荆建芬（27）、朱顺全（28）、江宁（29）、王溯（30）、顾立勋（31）、肖楠（32）、王颀（33）、周文犀（34）、刘敏（35）、李广（36）、严利均（37）、李晶（38）、曾明（39）、杨永刚（40）、轩攀登（41）、蒋阳波（42）
完成单位: 长江存储科技有限责任公司、中国科学院微电子研究所、北京大学、华中科技大学、清华大学、武汉大学、北京北方华创微电子装备有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司、拓荆科技股份有限公司、深圳中科飞测科技股份有限公司、成都莱普科技股份有限公司、盛美半导体设备（上海）股份有限公司、安集微电子科技（上海）股份有限公司、湖北鼎龙控股股份有限公司、上海新阳半导体材料股份有限公司、厦门恒坤新材料科技股份有限公司
知识产权和标准规范等目录:
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知识产权(标准) 类别 |
知识产权(标准) 具体名称 |
国家 (地区) |
授权号 (标准编号) |
授权(标准发布)日期 |
证书编号 |
权利人(标准起草单位) |
发明人(标准起草人) |
发明专利(标准)有效状态 |
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发明专利 |
三维半导体器件及其制造方法 |
中国 |
CN104022121B |
2017/5/3 |
2475562 |
中国科学院微电子研究所 |
霍宗亮 |
有效 |
|
发明专利 |
Vertical channel-type 3D semiconductor memory device and method for manufacturing the same |
美国 |
US9437609B2 |
2016/9/6 |
US9437609B2 |
中国科学院微电子研究所 |
霍宗亮、刘明 |
有效 |
综合信息