| 论文题目 | 作者 | 刊物名称 | 发表年度 |
|---|---|---|---|
| 含InGaAsP的InP DHBT复合式集电区结构设计 | 程伟,金智,于进勇,刘新宇; | 《半导体学报》 | 2007 |
| GaN HEMT器件22元件小信号模型 | 刘丹,陈晓娟,刘新宇,吴德馨; | 《半导体学报》 | 2007 |
| 单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管 | 徐静波,张海英,尹军舰,刘亮,李潇,叶甜春,黎明; | 《半导体学报》 | 2007 |
| 一种用于14bit 50MHz流水线模数转换器的CMOS采样开关 | 胡晓宇,周玉梅; | 半导体学报 | 2007 |
| Circuit-Level Analysis on Opto-Electronic Characteristics of Ferroelectric Liquid Crystal | Zhu Siqi; | The Chinese Journal of Semiconductors | 2007 |
| 90nm硅栅过刻蚀工艺中功率对等离子体性质的影响 | 张庆钊,谢长青,刘明,李兵,朱效立; | 《半导体学报》 | 2007 |
| 用于CMOS工艺的双功函数Ni全硅化物金属栅 | 周华杰,徐秋霞; | 半导体学报 | 2007 |
| 等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN/GaN HEMT栅电流的机理 | 李诚瞻,庞磊,刘新宇,黄俊,刘键,郑英奎,和致经; | 《半导体学报》 | 2007 |
| A New Method for InGaAs/InP Composite ChannelHEMTs Simulation | Liu Liang,Zhang Haiying,Yin Junjian,Li Xiao,Xu Jingbo,Song Yuzhu,Liu Xunchun; | The Chinese Journal of Semiconductors | 2007 |
| 一个4~12GHz混合集成宽带功率放大器 | 姚小江,李滨,刘新宇,陈中子,陈晓娟; | 《半导体学报》 | 2007 |
| Ultrahigh-Speed Lattice-Matched In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs with 218 GHz Cutoff Frequency | Liu Liang,Zhang Haiying,Yin Junjian,Li Xiao,Xu Jingbo,Song Yuzhu,Niu Jiebin,Liu Xunchun; | The Chinese Journal of Semiconductors | 2007 |
| In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs with fmax of 183GHz | Liu Liang,Zhang Haiying,Yin Junjian,Li Xiao,Yang Hao,Xu Jingbo,Song Yuzhu,Zhang Jian,Niu Jiebin,Liu Xunchun; | The Chinese Journal of Semiconductors | 2007 |
| 高线密度X射线透射光栅的制作工艺 | 朱效立 马杰 曹磊峰 杨家敏 谢常青 刘明 陈宝钦 牛洁斌 张庆钊 姜骥 赵珉 叶甜春 ; | 《半导体学报》 | 2007 |
| Edge-view photodetector for optical interconnects | Li Z, Shen H, Yang C, Li B, Wan L, Guidotti D.; | Opt Lett. | 2007 |
| 一种GPS软件接收机自适应门限快速捕获算法 | 巴晓辉 李金海 陈杰; | 《信息与控制》 | 2007 |
科研产出