| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 等平面场氧化隔离结构及其形成方法 | 许高博;徐秋霞; | 201210521736.4 | 2012-12-06 |
| 一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅 | 李春龙;李俊峰;闫江;赵超; | 201210510130.0 | 2012-12-03 |
| 一种射频阻抗自动匹配装置及方法 | 王佳，刘训春，王佳，刘训春; | 201210392259.6 | 2012-10-16 |
| 一种绝缘体上二维薄膜材料的制备方法 | 解婧，张阳，罗巍，李超波，夏洋; | 201210252143.2 | 2012-07-19 |
| 半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯; | PCT/CN2012/085353 | 2012-11-27 |
| 半导体器件制造方法 | 李春龙;李俊峰;闫江;孟令款;贺晓彬;陈广璐;赵超; | PCT/CN2012/001537 | 2012-11-13 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑;梁擎擎;钟汇才; | PCT/CN2012/085252 | 2012-11-26 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑; | PCT/CN2012/084814 | 2012-11-19 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑; | PCT/CN2012/084818 | 2012-11-19 |
| FinFET鳍状结构的制造方法 | 尹海洲;蒋葳;朱慧珑; | PCT/CN2012/083475 | 2012-10-25 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 钟汇才;梁擎擎; | PCT/CN2012/081512 | 2012-09-17 |
| 半导体器件及其制造方法 | 钟汇才;赵超;梁擎擎; | PCT/CN2012/081506 | 2012-09-17 |
| 半导体器件制造方法 | 钟汇才;梁擎擎;赵超; | PCT/CN2012/078837 | 2012-07-18 |
| 半导体器件及其制造方法 | 殷华湘;秦长亮;马小龙;徐秋霞;陈大鹏; | PCT/CN2012/000914 | 2012-07-03 |
| MOSFET的制造方法 | 尹海洲;朱慧珑; | PCT/CN2012/083749 | 2012-10-30 |
科研产出