| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 形成半导体器件替代栅的方法以及制造半导体器件的方法 | 许高博;徐秋霞; | 201210500533.7 | 2012-11-29 |
| 半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲; | 201210432008.6 | 2012-11-02 |
| 双应力异质SOI半导体结构及其制造方法 | 骆志炯;尹海洲;朱慧珑; | 201210501985.7 | 2012-11-29 |
| 平坦化处理方法 | 朱慧珑;罗军;李春龙;邓坚;赵超; | 201210505860.1 | 2012-11-30 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑;徐秋霞;张严波;杨红; | 201210505754.3 | 2012-11-30 |
| 半导体器件的制造方法 | 徐秋霞;朱慧珑;许高博;周华杰;陈大鹏; | 201210505744.X | 2012-11-30 |
| FinFET及其制造方法 | 朱慧珑;许淼;梁擎擎;尹海洲; | 201210506140.7 | 2012-11-30 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑; | 201210447834.8 | 2012-11-09 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑; | 201210448013.6 | 2012-11-09 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑; | 201210448458.4 | 2012-11-09 |
| FinFET及其制造方法 | 朱慧珑;许淼;梁擎擎;尹海洲; | 201210447946.3 | 2012-11-09 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑; | 201210447259.1 | 2012-11-09 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑; | 201210441230.2 | 2012-11-07 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑;梁擎擎;钟汇才; | 201210441393.0 | 2012-11-07 |
| 栅电极的形成方法 | 钟汇才;梁擎擎;罗军;赵超; | 201210309498.0 | 2012-08-27 |
科研产出