集成电路制造技术全国重点实验室3篇论文入选VLSI 2025大会

近日，2025年超大规模集成电路研讨会（VLSI 2025）在日本京都召开。集成电路制造技术全国重点实验室3篇学术论文入选，研究成果覆盖了逻辑GAA晶体管技术、三维存算一体芯片技术、氧化物器件热稳定性优化技术等多项学术前沿领域，这是微电子所连续7年在VLSI大会上发表论文。

在GAA晶体管多阈值技术研究方面发表论文1篇，内容包括：提出了一种全偶极子CMOS集成的多阈值技术方法，首次利用原子级界面偶极子缓冲层（AIDBL）实现多级阈值的精细调控，构建了完全无金属功函数层（WFM-free）介入的CMOS集成路径。（论文题目：First Demonstration of 9N+9P Complete Dipole Multi-VTs CMOS Integration with Atomic Interfacial Dipole Buffer Layer Technique in GAA NSFETs，博士研究生魏延钊为第一作者，姚佳欣副研究员、殷华湘研究员为通讯作者。）

在三维存算一体芯片研究方面发表论文1篇，内容包括：实现了8层3D VRRAM与CMOS计算电路的片上集成，通过巧妙的氧化物刻蚀和金属沉积实现了3D VRRAM和CMOS计算电路的直接通信，构建了1Mb高算力密度的三维存算一体芯片。（论文题目：First Implementation of Monolithic Integrated CIM with 1Mb Ultra-high-density 8-layer 3D VRRAM, Achieving High Computing Density (204.8GOPs/mm²) and FoM (2.13×10⁶ GOPS²/W/mm²) for Efficient Scientific Computing，硕士研究生马彩莲和博士后孙文绚为共同第一作者，许晓欣研究员、张锋研究员为通讯作者。）

在氧化物器件热稳定性优化研究方面发表论文1篇，内容包括：基于第一性原理-分子动力学模拟（AIMD）-TCAD器件仿真联合计算方法，构建了氧化物半导体界面的原子级模型，验证了400 ℃的后退火温度下亚纳米级插层调控的铟镓锌氧（IGZO）晶体管具有良好的器件特性和PBTI可靠性。（论文题目：First Demonstration of Atomic-Interlayer-Tuning Driven by First Principles Calculations and Atomic Layer Deposition towards High Thermal Stable BEOL IGZO-FETs with SS=62mV/dec, PBTI < 7mV@ 3MV/cm and 353K，博士研究生李旭帆、顾宸以及助理工程师余童为共同第一作者，白子恒助理研究员、汪令飞研究员以及李泠研究员为通讯作者。）