教育背景
2016.3-2020.10 哈尔滨工业大学 微电子学与固体电子学 博士
2011.9-2014.3 北京邮电大学 电子与通信工程 硕士
2007.9-2011.7 解放军信息工程大学 通信工程 本科
工作简历
2024.7—至今 中国科学院微电子研究所 副研究员/青年研究员
2023.9—2024.6北京时代民芯科技有限公司 工程师
2021.1—2023.9北京时代民芯科技有限公司 博士后
2014.4—2016.2 北京时代民芯科技有限公司 硬件工程师
高可靠SOI/化合物工艺、器件与电路技术
1. 中国科学院先导B类项目 “COTS器件辐射损伤与电热损伤的同源性理论与应用研究” 课题负责人 2025年至2030年
2. 国家自然青年基金 “β-Ga2O3 MOSFET高压功率器件的单粒子辐射效应研究” 项目负责人 2023年至2025年
[1] Xiao-feng Wei, Hong-xin Zhang, Lei Shu*, et al., Analysis of electromagnetic radiation characteristics under TID radiation effects of trench-gate SiC MOSFETs. Journal of Instrumentation, 2025, 1-19.
[2] You Li, Fan-yu Liu, Lei Shu*, Bo Lu and Bo Li and Jia-jun Luo, Low-frequency noise in the Double SOI (DSOI) MOSFETs with back-gate control. Journal of Instrumentation, 2025, 1-13.
[3] Lei Shu, Yuan-Fu Zhao, Kenneth F Galloway, et al., Effect of Drift Length on Shifts in 400V SOI LDMOS Breakdown Voltage due to TID, IEEE Transactions on Nuclear Science(TNS), 2020 , 67(11): 2392-2395.
[4] Lei Shu, Liang Wang, Kai Zhao, et al., TID-Induced Off-State Leakage Current in Partially Radiation-Hardened SOI LDMOS，IEEE Transactions on Nuclear Science (TNS), 2020, 67(6): 1133-1138.
[5] Lei Shu, Liang Wang, Xin Zhou, et al., Numerical and Experimental Investigation of TID Radiation Effects on the Breakdown Voltage of 400-V SOI NLDMOSFETs, IEEE Transactions on Nuclear Science(TNS), 2019, vol. 66, no. 4, pp. 710-715.
[6] Lei Shu, Yuan-Fu Zhao, KF Galloway, et al, TID-Induced Breakdown Voltage Degradation in Uniform and Linear Variable Doping SOI p-LDMOSFETs, IEEE Transactions on Nuclear Science(TNS), 2019, vol. 67, no. 7, pp. 1390-1394.
[7] Lei Shu, Chun-Hua Qi, Kenneth F Galloway, et al., Observation of Single Event Burnout (SEB) in an SOI NLDMOSFET Using a Pulsed Laser, Microelectronic Reliability, 2021, 116: 113997.
人才队伍