教育背景
2005.09-2009.06，哈尔滨工程大学，电子信息科学与技术，学士
2010.09-2013.06，中国科学院大学，电子与通信工程，硕士
2019.09-2022.06，中国科学院大学，微电子学与固体电子学，博士
工作简历
2013.07-2016.03，中国科学院微电子研究所人教处，教育主管
2016.03-2019.07，中国科学院微电子研究所科教中心，外联主管
2019.07-2023.02，中国科学院微电子研究所先导中心，助理研究员
2023.02-2024.12，中国科学院微电子研究所EDA中心，助理研究员
2024.12-至今，中国科学院微电子研究所EDA中心，副研究员
集成电路先进制造TCAD工艺仿真
先后主持项目4项，并作为核心骨干参与国家重点研发计划、中科院先导专项、企业横向合作等多项重点项目和课题。
1、国家重点研发计划青年科学家项目，2023YFB4402600，纳米尺度工艺微观动力学，2023-12至2026-11，300万元，项目骨干。
2、中国科学院青年创新促进会，2023129，先进刻蚀沉积工艺仿真研究，2023-01至2026-12，80万元，项目负责人。
3、中国科学院微电子研究所青苗计划A类，集成电路制造中的沉积刻蚀工艺仿真研究，2023-7至2025-12，200万元，项目负责人。
1. Hua Shao, Tobias Reiter, Rui Chen, Junjie Li, Ziyi Hu, Yayi Wei, Ling Li, and Lado Filipovic, Loading Effect during SiGe/Si Stack Selective Isotropic Etching for Gate-All-Around Transistors[J], ACS Applied Electronic Materials, 2024, 6(11).
2. Hua Shao, Rui Chen, LiSong Dong, Chen Li, Qi Yan, Taian Fan, Yayi Wei, High Accuracy Simulation of Silicon Oxynitride Film Grown by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition[J], IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 2022, 35 (2): 309-317.
3. Ziyi Hu, Hua Shao*, Junjie Li, et al., Modeling of Micro-trenching and Bowing Effects in Nano-scale Si Inductively Coupled Plasma Etching Process[J], JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 41(6), 2023.
4.Sen Deng, Hua Shao*, Dandan Han, Rui Chen, Yayi Wei, Modeling conformality of Al2O3 deposited in high aspect ratio structure by atomic layer deposition[J], Japanese Journal of Applied Physics, 2025, 64, 045503.
5. Yuxuan Zhai, Wenrui Wang, Rui Chen, Hua Shao*, et al., A Machine Learning Model for Interpretable PECVD Deposition Rate Prediction[J], 2025, Advanced Intelligent Discovery.
6.Hua Shao, Rui Chen, Junjie Li, et al., Modeling of SiN Inner Spacer Deposition in Gate-all-around Nanosheet FET Process[C], Proc. of SPIE 12055, Advances in Patterning Materials and Processes XXXIX, 1205502, 2022.
授权发明专利9项，申请专利20余项，代表性专利如下：
1. 邵花, 叶甜春, 韦亚一, 陈睿, 王云, 薛静. 半导体建模方法、装置、存储介质及计算机. 专利号：ZL 202110271530.X
2. 邵花, 韦亚一, 陈睿, 王云, 薛静, 叶甜春. 一种用于半导体器件的薄膜形貌预测方法及装置. 专利号：ZL 202110639484.4
3.邵花, 韦亚一等. 薄膜沉积建模速率拓展方法、装置、设备及存储介质. 申请号：202210061500.0
4.邵花, 韦亚一，一种薄膜沉积工艺仿真模型参数优化方法及装置. 申请号：202211728408.1
5.邵花, 韦亚一, 陈睿, 半导体图形化工艺仿真模型中形貌缺陷确定方法及装置, 202310334555.9
6. 邵花, 喻杰等,一种化学气相沉积的模拟仿真方法、装置、设备及介质, 申请号：202411622242.4
7. 邵花, 傅一豪等，集成电路制造工艺真空输运仿真方法、装置、设备及介质, ZL 202411688687.2
2025年 获中国科学院大学教育教学成果二等奖（排名第二）
2023年 入选中国科学院青促会会员
2021年 获中国科学院教育教学成果二等奖（排名第四）
2015年 获评中国科学院微电子所年度十佳先进工作者
人才队伍